本文目录
- Intel的cpu说明中提到“支持的内存类型是DDR4-2666”是什么意思
- 内存和cpu分别是什么意思
- 什么是内存的类型
- cpu的内存类型 是什么意思
- 英特尔官网的cpu参数里【内存类型】指什么
- 内存类型是什么
- cpu的内存类型是什么意思
- 内存常识问题,内存型号代表什么意思
Intel的cpu说明中提到“支持的内存类型是DDR4-2666”是什么意思
不是，要看主板支持如果主板支持高频内存，开启内存超频就和CPU支持不大了如果主板不支持超频，二者取最低支持频率关键看主板不能看CPU，像是intel的B和H系一般不支持内存超频
内存和cpu分别是什么意思
内存：
1、内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。内存(Memory)也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。
2、内存就是暂时存储程序以及数据交换的地方，不同于硬盘，当电脑关机内存断点后，所有临时存储在内存的上的数据将全部清空，而保存在硬盘上的数据再次开机后还在，这主要是因为内存与硬盘采取的存储技术不同，内存的优点是高速但数据需要一直通电才能保存。
CPU：
1、中央处理器（CPU，Central Processing Unit）是一块超大规模的集成电路，是一台计算机的运算核心（Core）和控制核心（ Control Unit）。它的功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据。中央处理器主要包括运算器（算术逻辑运算单元，ALU，Arithmetic Logic Unit）和高速缓冲存储器（Cache）及实现它们之间联系的数据（Data）、控制及状态的总线（Bus）。它与内部存储器（Memory）和输入/输出
（I/O）设备合称为电子计算机三大核心部件。
2、CPU品牌有两大阵营，分别是Intel（英特尔）和AMD,这两个行业老大几乎垄断了CPU市场，而Intel的CPU又分为Pentium（奔腾） 、Celeron（赛扬）和Core（酷睿）。其性能由高到低也就是Core＞Pentium＞Celeron。AMD 的CPU分为Semporn（闪龙）和Athlon（速龙），性能当然是Athlon优于Semporn的。
英特尔CPU如下图：
AMD CPU如下图：
什么是内存的类型
内存类型指内存所采用的存储类型，不同类型的内存传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同。 目前市场中主要有的内存类型有SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三种，其中DDR SDRAM内存占据了市场的主流，而SDRAM内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。RDRAM则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯片组也逐渐退出了市场，RDRAM前景并不被看好。 SDRAM：SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。 DDR SDRAM：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。 从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。 RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。 RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。 普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节
cpu的内存类型 是什么意思
可以使用的它的意思是说cpu不超频的话，内存工作频率是1600主板支持2400，这个时候cpu需要处于超频状态或者启用bios中的内存超频选项你不需要当心。
英特尔官网的cpu参数里【内存类型】指什么
内存频率由CPU决定，CPU支持最高是DDR4 2400，那么你的DDR4 2800会降频到DDR4 2400来运行。运行的CL等参数，会根据厂家预设的值进行调整。
内存类型是什么
指内存所采用的内存类型，不同类型的内存传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同。目前市场中主要有的内存类型有SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三种，其中DDR SDRAM内存占据了市场的主流，而SDRAM内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。RDRAM则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯片组也逐渐退出了市场，RDRAM前景并不被看好。 SDRAM：SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。 与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。 DDR SDRAM：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。 从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。 DDR2的详解 RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。 RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。 普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。 服务器内存 服务器内存也是内存(RAM)，它与普通PC（个人电脑）机内存在外观和结构上没有什么明显实质性的区别，主要是在内存上引入了一些新的特有的技术，如ECC、ChipKill、热插拔技术等，具有极高的稳定性和纠错性能。 服务器内存主要技术： (1)ECC 在普通的内存上，常常使用一种技术，即Parity，同位检查码（Parity check codes）被广泛地使用在侦错码（error detectioncodes）上，它们增加一个检查位给每个资料的字元（或字节），并且能够侦测到一个字符中所有奇（偶）同位的错误，但Parity有一个缺点，当计算机查到某个Byte有错误时，并不能确定错误在哪一个位，也就无法修正错误。基于上述情况，产生了一种新的内存纠错技术，那就是ECC，ECC本身并不是一种内存型号，也不是一种内存专用技术，它是一种广泛应用于各种领域的计算机指令中，是一种指令纠错技术。ECC的英文全称是“ Error Checking and Correcting”，对应的中文名称就叫做“错误检查和纠正”，从这个名称我们就可以看出它的主要功能就是“发现并纠正错误”，它比奇偶校正技术更先进的方面主要在于它不仅能发现错误，而且能纠正这些错误，这些错误纠正之后计算机才能正确执行下面的任务，确保服务器的正常运行。之所以说它并不是一种内存型号，那是因为并不是一种影响内存结构和存储速度的技术，它可以应用到不同的内存类型之中，就象前讲到的“奇偶校正”内存，它也不是一种内存，最开始应用这种技术的是EDO内存，现在的SD也有应用，而ECC内存主要是从SD内存开始得到广泛应用，而新的DDR、RDRAM也有相应的应用，目前主流的ECC内存其实是一种SD内存。 (2)Chipkill Chipkill技术是IBM公司为了解决目前服务器内存中ECC技术的不足而开发的，是一种新的ECC内存保护标准。我们知道ECC内存只能同时检测和纠正单一比特错误，但如果同时检测出两个以上比特的数据有错误，则一般无能为力。目前ECC技术之所以在服务器内存中广泛采用，一则是因为在这以前其它新的内存技术还不成熟，再则在目前的服务器中系统速度还是很高，在这种频率上一般来说同时出现多比特错误的现象很少发生，正因为这样才使得ECC技术得到了充分地认可和应用，使得ECC内存技术成为几乎所有服务器上的内存标准。 但随着基于Intel处理器架构的服务器的CPU性能在以几何级的倍数提高，而硬盘驱动器的性能同期只提高了少数的倍数，因此为了获得足够的性能，服务器需要大量的内存来临时保存CPU上需要读取的数据，这样大的数据访问量就导致单一内存芯片上每次访问时通常要提供4（32位）或8（64位）比特以上的数据，一次性读取这么多数据，出现多位数据错误的可能性会大大地提高，而ECC又不能纠正双比特以上的错误，这样就很可能造成全部比特数据的丢失，系统就很快崩溃了。IBM的Chipkill技术是利用内存的子结构方法来解决这一难题。内存子系统的设计原理是这样的，单一芯片，无论数据宽度是多少，只对于一个给定的ECC识别码，它的影响最多为一比特。举个例子来说明的就是，如果使用4比特宽的DRAM，4比特中的每一位的奇偶性将分别组成不同的ECC识别码，这个ECC识别码是用单独一个数据位来保存的，也就是说保存在不同的内存空间地址。因此，即使整个内存芯片出了故障，每个ECC识别码也将最多出现一比特坏数据，而这种情况完全可以通过ECC逻辑修复，从而保证内存子系统的容错性，保证了服务器在出现故障时，有强大的自我恢复能力。采用这种内存技术的内存可以同时检查并修复4个错误数据位，服务器的可靠性和稳定得到了更加充分的保障。 (3)Register Register即寄存器或目录寄存器，在内存上的作用我们可以把它理解成书的目录，有了它，当内存接到读写指令时，会先检索此目录，然后再进行读写操作，这将大大提高服务器内存工作效率。带有Register的内存一定带Buffer(缓冲)，并且目前能见到的Register内存也都具有ECC功能，其主要应用在中高端服务器及图形工作站上，如IBM Netfinity 5000。 服务器内存典型类型 目前服务器常用的内存有SDRAM和DDR两种内存
cpu的内存类型是什么意思
1. cpu 内存控制器（Memory Controller）是计算机系统内部控制内存并且通过内存控制器使内存与CPU之间交换数据的重要组成部分。内存控制器决定了计算机系统所能使用的最大内存容量、内存BANK数、内存类型和速度、内存颗粒数据深度和数据宽度等等重要参数，也就是说决定了计算机系统的内存性能，从而也对计算机系统的整体性能产生较大影响。 2. 传统的计算机系统其内存控制器位于主板芯片组的北桥芯片内部，CPU要和内存进行数据交换，需要经过“CPU--北桥--内存--北桥--CPU”五个步骤，在此模式下数据经由多级传输，数据延迟显然比较大从而影响计算机系统的整体性能；而AMD的K8系列CPU（包括Socket 754/939/940等接口的各种处理器）内部则整合了内存控制器，CPU与内存之间的数据交换过程就简化为“CPU--内存--CPU”三个步骤，省略了两个步骤，与传统的内存控制器方案相比显然具有更低的数据延迟，这有助于提高计算机系统的整体性能。 3. CPU内部整合内存控制器的优点，就是可以有效控制内存控制器工作在与CPU核心同样的频率上，而且由于内存与CPU之间的数据交换无需经过北桥，可以有效降低传输延迟。打个比方，这就如同将货物仓库直接搬到了加工车间旁边，大大减少了原材料和制成品在货物仓库和加工车间之间往返运输所需要的时间，极大地提高了生产效率。这样一来系统的整体性能也得到了提升。 4. CPU内部整合内存控制器的最大缺点，就是对内存的适应性比较差，灵活性比较差，只能使用特定类型的内存，而且对内存的容量和速度也有限制，要支持新类型的内存就必须更新CPU内部整合的内存控制器，也就是说必须更换新的CPU；例如AMD的K8系列CPU目前就只能支持DDR，而不能支持更高速的DDR2。而传统方案的内存控制器由于位于主板芯片组的北桥芯片内部，就没有这方面的问题，只需要更换主板，甚至不更换主板也能使用不同类型的内存，例如Intel Pentium 4系列CPU，如果原来配的是不支持DDR2的主板，那么只要更换一块支持DDR2的主板就能使用DDR2，如果配的是同时支持DDR和DDR2的主板，则不必更换主板就能直接使用DDR2。 5. 将内存控制器整合到CPU内部显然是今后的发展方向，而且其技术也会越来越完善。以后Intel也将会推出整合内存控制器的CPU。
内存常识问题,内存型号代表什么意思
指的是内存条型号。是双倍速率同步动态随机存储器DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。DDR1把老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分。尽管一般是使用 “DDR“ ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。DDR1规格DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行 DDR-266: DDR-SDRAM记忆芯片在133 MHz下运行 DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行 DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行(JEDEC制定的DDR最高规格) DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格) DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格) DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格)DDR2DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快(可达 667MHZ )，耗电量更低，散热性能更优良 .DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)DDR2内存的频率进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据预读取)。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。DDR3与DDR2几个主要的不同之处 :1.突发长度(Burst Length，BL)由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(Burst Length，BL)也固定为8DDR3，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。2.寻址时序(Timing)就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间，而DDR3则在5~11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0~4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数--写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。另外内存同步时外频频率跟内存型号的关系图:表4.内存同步时外频频率跟内存型号的关系3.DDR3新增功能重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。4.DDR3新增ZQ校准功能ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎(On-Die Calibration Engine，ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。参考电压分成两个在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。点对点连接(Point-to-Point，P2P)这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。DDR3双列直插内存模块在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组)，或者是点对双点(Point-to-two-Point，P22P)的关系(双物理Bank的模组)，从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。Intel预计在第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。DDR4美国JEDEC在不久之后启动DDR4内存峰会，而这也标志着DDR4标准制定工作的展开。一般认为这样的会议召开之后新产品将会在3年左右的时间内上市，而这也意味着我们将可能在2011年的时候使用上DDR4内存，最快也有可能会提前到2010年。JEDEC表示在7月份于美国召开的存储器大会MEMCON07SanJose上时就考虑过DDR4内存要尽可能得继承DDR3内存的规格。使用Single-endedSignaling( 传统SE信号)信号方式则表示64-bit存储模块技术将会得到继承。不过据说在召开此次的DDR4峰会时，DDR4 内存不仅仅只有Single-endedSignaling方式，大会同时也推出了基于微分信号存储器标准的DDR4内存。DDR4规格因此DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6~3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。根据多位半导体业界相关人员的介绍，DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术 )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品。DDR5新一代的显存会有较低的能量消耗量，且数据传输为每秒6 Gbps直至目前为止，我们只看到极少数的绘图卡使用gddr4显存，但三星已发布下一代的gddr5记忆体，并声称它的样本已经发向了主要的图形处理器公司。当然，三星并不是第一家提供gddr5的样品的公司。海力士Hynix和奇梦达双方也宣布了类似的零件，但三星的记忆已经进了一步提供了数据传输速率6gb/sec ，超过标准5gb/sec 。因此，三星大胆声称它的产品为“世界上速度最快的记忆体“并且说，它的产品“能够传输移动影像及相关数据，在24千兆字节每秒。“除了增加带宽， gddr5记忆体也比较低功耗，三星公司声称其记忆体运作，只是1.5v 。三星是采样512MB的gddr5芯片( 16 MB × 32 ) ， mueez 迪恩，三星绘图记忆体的市场营销主管，他说:“该记忆体将使种图形硬体的表现将推动软件开发商提供了一个新台阶眼膨化游戏。不过，我们可能要等待一段时间， gddr5成为普遍“。三星公司估计，该记忆体将成为在顶级产品细分市场中的的标准。DDR存储器电气特性验证几乎每一个电子设备，从智能手机到服务器，都使用了某种形式的RAM存储器。尽管闪存NAND继续流行(由于各式各样的消费电子产品的流行)，由于SDRAM为相对较低的每比特成本提供了速度和存储很好的结合，SDRAM仍然是大多数计算机以及基于计算机产品的主流存储器技术。DDR是双数据速率的SDRAM内存，已经成为今天存储器技术的选择。DDR技术不断发展，不断提高速度和容量，同时降低成本，减小功率和存储设备的物理尺寸。随着时钟速率和数据传输速率不断增加和性能的提高，设计工程师必须保证系统的性能指标，或确保系统内部存储器和存储器控制设备的互操作性，存储器子系统的模拟信号完整性已成为设计工程师越来越多重点考虑的问题。许多性能问题，甚至在协议层发现的问题，也可以追溯到信号完整性问题上。因此，存储器的模拟信号完整性验证已经成为很多电子设计验证关键的一步。JEDEC(电子工程设计发展联合协会)已经明确规定存储设备详细测试要求，需要对抖动、定时和电气信号质量进行验证。测试参数:如时钟抖动、建立和保持时间、信号的过冲、信号的下冲、过渡电压等列入了JEDEC为存储器技术制定的测试规范。但执行规范里的这些测试是一个很大的挑战，因为进行这些测试很可能是一个复杂而又耗时的任务。拥有正确的工具和技术，可以减少测试时间，并确保最准确的测试结果。在本应用文章中，我们将讨论针对存储器测试的解决方案，这个方案能够帮助工程师战胜挑战和简化验证过程。信号的获取和探测存储器验证的第一个难点问题是如何探测并采集必要的信号。JEDEC标准规定的测试应在存储器元件的BGA(球栅阵列结构的PCB)上。而FBGA封装组件包括一个焊球连接阵列(这是出于实际目的)，无法进入连接，如何进行存储器的探测呢?一种解决方案是在PCB布线过程中设计测试点，或探测存储器元件板的背面的过孔。虽然这些测试点没有严格在“存储器元件附近“，PCB走线长度一般都比较短，对信号衰减的影响很小。当使用这种方法探测时，信号完整性通常是相当不错的，可以进行电气特性的验证。对于这种类型应用，可以使用手持探头，但是在多个探头前端和测试点同时保持良好的电接触非常困难。图2考虑到有些JEDEC的测量要求三个或更多的测试点，加上其他信号如芯片选择信号、RAS和CAS可能需要确定存储器状态，许多工程师常常选择使用焊接式探头进行连接。泰克公司开发了一种专为这种类型的应用设计的探测解决方案。P7500系列探头有4~20GHz的带宽，是存储器验证应用的选择。图2说明了几个可用的P7500系列探头前端之一，这种探头非常适合存储器验证的应用。这些微波同轴“前端在需要多个探测前端进行焊接情况时提供了有效的解决方案，同时提供优秀的信号保真度和4GHz带宽，足已满足存储器DDR3@1600MT/s的测试需求。图3P7500系列探头针对存储器测试应用的另一个优点是泰克专有的TriMode(三态)功能。这种独特的功能允许探头不但可以测试+和-差分信号，又可以测试单端信号。使用探头前端的三个焊接连接，用户就可以使用探头上控制按钮或在示波器菜单来对差分和单端探测模式之间进行切换。使用焊接探头的+连接到单端数据或地址线，使用焊接探头的-连接到另一相邻线。然后用户可以使用一个探头，通过两个单端测量模式之间切换，很容易地测量其中任何两个信号。然而，很多情况下通过背面过孔探测信号可能不是一种好的选择。使用嵌入式存储器设计，存储器元件背面可能没有可用的板上空间。甚至很多标准的DIMM，在板的两面都有存储器元件，以增加存储密度。这种情况下，测试工程师怎样才能探测到测试点呢?图4幸运的是，即使这样情况，也有探测解决方案。泰克公司与Nexus科技公司合作开发了所有标准DDR3和DDR2存储器设备转接板内插板组件。这些转接板内插板使用插槽代替存储器元件连接到被测设备。在转接板有探测的测试点，然后对齐到插槽上的位置。存储器元件再插到转接板上。图4是这种“连接“的示意图。