本文目录
- 刚买了2根内存条，大佬帮我看下什么颗粒
- 内存条排名
- 求电脑各个硬件的性能天梯图
- 内存颗粒怎么看
- 内存颗粒排行 谁能列出来
- 内存颗粒怎么看大小(实物),最好能列出几个不同的典型的例子,3KS
刚买了2根内存条，大佬帮我看下什么颗粒
查看内存条颗粒有两种方式。一种是直接在内存条上查看，一些品牌的内存条颗粒上会直接标注颗粒的厂商。另一种是通过软件在电脑端查看，例如通过【aida64】这款软件查看内存颗粒。两种方式的具体操作如下： 本文以联想拯救者R7000；Windows 10；aida64 6.00.5157为案例进行讲解。 直接在内存条上查看颗粒 1.拿出内存条，观察内存条颗粒上标注的厂商标识、logo和编号即可得知该内存条颗粒的信息。 2.如果内存条配备了散热马甲，那么首先需要将散热马甲拆掉，之后才能看到颗粒上标注的信息。 使用aida64看内存颗粒 1.打开电脑，下载【aida】软件。打开【aida64】的文件夹，找到【aida64.exe】文件并双击启动该软件。 2.启动【aida64】后，点击左侧菜单栏中的【主板】，然后点击【SPD】。在右侧的【设备描述】菜单中选择想要查看的内存条，下面【内存模块】信息中【DRAM制造商】一栏显示的信息就是内存颗粒的厂商。
内存条排名
市场占有率最高（近三成）的肯定是金士顿，高中低档都有，价格差距很大，而且假条也多，以超频著称的是海盗船和亿能。海盗船曾经生产的DDR400的内存条可以稳超到533。即使不超频，在DDR400下也能将潜伏期和寻址时间降低一半，达到DDR500的效果!以下是品牌占有率排名：1金士顿 2威刚 3海盗船 4三星 5宇瞻 6芝奇 7金邦 8金泰克（唯一内地品牌，支持） 9现代 10OCZ 值得一提的是，在内地和港台有销售的内存条品牌近50家，因为至今为止，存储行业也是暴利行业，10名以外不见得不好，只是在内地不是很出名，其实各有特色!
求电脑各个硬件的性能天梯图
显卡cpu因为有详细参数和型号可以用来做天梯图，硬盘内存主板这些玩意用什么标准来排行？别以为只要是硬件就肯定有天梯图，只要销量图
内存颗粒怎么看
金士顿可以说是世界第一大内存生产厂商，其使用的内存颗粒，既有金士顿自己研发的产品颗粒，更多的则是采用其他厂商生产的内存颗粒，如今市面上营销最多用到的就是海力士颗粒和镁光颗粒的。
金士顿厂家生产的内存条所使用的常见内存颗粒如下：
1. MOSEL 茂矽颗粒
2. Winbond 华帮
3. Toshiba 日本东芝
4. Samsung 三星颗粒
5. Infineon 英飞凌颗粒
6. PSC 力晶颗粒
7. NANYA 南亚颗粒
8. HYNIX 现代颗粒
9. Hynix 海力士颗粒
10. ELPIDA 尔必达颗粒
11. Micron 镁光
内存条由芯片、PCB电路板以及一些电阻、电容组成，外观标识较少，大多没有正式的外包装，普通消费者单从外观上很难判断其优劣，在选购时就更应该留神。较常见的内存造假方法是用劣质货冒充名牌产品。内存芯片出厂需经前工序、后工序和检验工序三个步骤。
扩展资料：
1. 金士顿的高频内存有采用“Hynix“D43颗粒和Winbond的内存颗粒的金士顿DDR400、DDR433-DDR500内存等，其分属ValueRam系列（经济型）和HyperX系列。
2. 金士顿的ValueRam系列，价格与普通的DDR400一样，但其可以超频到DDR500使用。而金士顿的HyperX系列其超频性也不错，金士顿 500MHz的HyperX超频内存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB单片包装与容量512MB与1GB双片的包装上市，其电压为2.6伏特，采用铝制散热片加强散热，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值为2.5，DDR500下的CAS值为3，所以性能也一般。
3. 虽然金士顿和KingMax、Apacer这类品牌内存都使用的自己生产的颗粒，假冒产品较少。但是还有手段高超的奸商“造”出了假货，最近在市场就上出现了仿冒的金士顿内存，其使用的是三星的原厂内存进行仿冒的。不过假冒内存条的识别方法也很简单，只需要注意在PCB板上印有SUNSAMG的字样（由于工艺问题造假者还不太容易将其去掉）我们在购买的时候也可以看产品是否具有代理商提供的防伪标签，并且可以拨打防伪电话辨别真伪。
内存颗粒排行 谁能列出来
2003年世界最大十家DRAM厂商排名： 从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、冲电气（Oki，日本）。 最后要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再自己或找代工厂封装
内存颗粒怎么看大小(实物),最好能列出几个不同的典型的例子,3KS
Samsung内存 具体含义解释： 例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存 条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数 据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 ·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HYXXXXXXXXXXXXXXXX 123456789101112 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)； 3、处理工艺及工作电压：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系 7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2 8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ 11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A 现代的mBGA封装的颗粒 Infineon（英飞凌） Infineon 是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为 256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存 颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。 HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。 Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。 -7.5——表示该内存的工作频率是133MHz； -8——表示该内存的工作频率是100MHz。 例如： 1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。 1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×8片/8=128MB（兆字节）。 KINGMAX、kti KINGMAX内存的说明 Kingmax 内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全 是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注： KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间×4位数据宽度； KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间×8位数据宽度； KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间×4位数据宽度； KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间×8位数据宽度； KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间×16位数据宽度。 Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： -7A——PC133/CL=2； -7——PC133/CL=3； -8A——PC100/CL=2； -8——PC100/CL=3。 例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。 Micron（美光） 以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义： MT——Micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。 LC——供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。 16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。 A2——内存内核版本号。 TG——封装方式，TG即TSOP封装。 -75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。 其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）。 Winbond（华邦） 含义说明： WXXXXXXXX 12345 1、W代表内存颗粒是由Winbond生产 2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM 3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H； 4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装 5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ Mosel（台湾茂矽） 台 湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示 单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR 南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第 4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。 AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD M.tec（勤茂）、TwinMOS（勤茂）V-DATA（香港威刚）、A-DATA（台湾威刚）、VT内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256M容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周A－DATA这是A－DATA的DDR500