本文目录
- 抢下骁龙888首发的小米11翻车发布没多久，小米10补救
- 骁龙888手机功耗翻车,后续还可以通过系统更新来优化吗
- 骁龙888真的翻车了吗看完小白测评的视频，我更加糊涂了
- 骁龙888因三星工艺才翻车到底是怎么了，888还能不能买
- 骁龙888翻车之际，联发科天玑1200能否顺势站稳高端市场
抢下骁龙888首发的小米11翻车发布没多久，小米10补救
虽然小米11的性能还不错，120Hz高刷+一亿像素主摄+骁龙888芯片+2K顶级屏幕+哈曼卡顿联名音响+55W有线快充、50W无线快充等等。而不少评测机构也开始对全球首发的骁龙888进行测试，然而评测的结果却没有那么令人满意。 特别是骁龙888的发热问题，让不少用户都开始吐槽。
本以为抢下了高通骁龙888芯片全球首发的小米会因此抢占先机，但是没想到却赔了夫人又折兵。骁龙888采用的是5nm工艺技术，跟7nm的骁龙865芯片相比，在性能上得到了不小的提升，但是功耗却出现了很大的增长，并且在玩 游戏 的时候，仅仅20分钟的时间，手机的温度就会达到48摄氏度，发热情况堪忧。 本来是小米11最大卖点的芯片，现在却成了拖后腿的存在。 小米11刚发布的时候大家都是冲着骁龙888去的，但是现在却对骁龙888唯恐避之不及。
正是因为骁龙888的翻车，高通方面也开始有了新行动。 据了解，高通方面很可能会有骁龙865芯片的升级版本出现，而这款升级版的骁龙865很可能会被命名为骁龙870芯片。小米在骁龙888上面吃了亏，也一直在寻找补救的方式。
如今，根据业内人士的爆料来看，小米10系列很可能会推出一款新机型，将会搭载骁龙870芯片。并且这款手机很可能会在2021年的第一季度就发布。 距离小米11发布还没有多久，现在就有新款小米10马上要发布，很显然雷军也不太满意小米11的表现。
其实翻车的不仅仅只有骁龙888芯片，5nm芯片几乎全部都翻车了。华为麒麟9000也好，苹果A14也好，表现都不尽如人意。A14芯片上所使用的晶体管有118亿，比上一代A13芯片上晶体管的数量多了近40%，功耗也降低了30%。而华为麒麟9000芯片上一共有153亿晶体管，比苹果A14更多。
但是iPhone12手机的耗电问题确实令人堪忧，手机在待机状态下，一晚上电量就会下降40%左右。而华为Mate40手机的发热问题和续航不足的问题也被很多用户诟病。 小米11的发热问题和功耗问题也无法解决。
虽然追求高工艺是高端手机的趋势，但是一味地追求高工艺，花了更多的钱，却无法保证用户的使用体验，无法解决发热、耗电和功耗高的问题，这是没有任何意义的事情 。就算现在市面上已经有了3nm工艺芯片的手机，如果在性价比、性能和功耗等各方面，还不如7nm工艺芯片的话，那么几nm都是没有任何用处的。 小米10的新机马上就要发布了，那么你会选择小米11还是新版小米10呢？
骁龙888手机功耗翻车,后续还可以通过系统更新来优化吗
骁龙888手机功耗翻车后续还可以通过系统更新来优化。
进入2021年，随着骁龙888机型的上市热销，关于骁龙888的话题讨论也不时见于网友帖子和媒体新闻报道。为了尽可能控制变量，接下来测试过程当中担当测试终端的小米10与小米11均在1080P分辨率、60Hz刷新率下运行，采用最低显示亮度，都在24℃左右的室内，在同一位置进行。
骁龙888注意：
正所谓“人红是非多”，在讨论当中一些用户的声音肯定了其提升幅度和担当安卓阵营顶流旗舰平台的价值所在；也有一些声音发出了质疑，认为其在性能提升的同时带来的更高功耗是“翻车了”，更有甚者搬出了骁龙810这个带有不好回忆的处理器与之类比。
骁龙888真的翻车了吗看完小白测评的视频，我更加糊涂了
看完小白测评的视频【「小白」骁龙888翻车了么？】，我更加糊涂了——这到底是谁在瞎扯？
先看跑分，骁龙888相比上一代芯片的性能提升是毋容置疑的。
小白的视频里面，一开始先明确了一个基准测试，后面的功耗数据都是基于这个来的——
但这个估算方式的准确性是存在疑问的，因为小米11作为其中唯一搭载2K屏的，而这样的估算方式显然没有办法排除2K相比其他几款1080P手机在功耗上的额外负担， 所以小白测评的数据其实是有问题的。在小白测评的视频里，前后也给出了一些自相矛盾的观点。
先是在最开始的SoC静息功耗测试里面表示： 小米11也就多了一个2K，不至于会有这么大的功耗提升（功耗大）。
然后在1小时和平精英耗电量测试里面，经过测试跟计算之后得知小米11的整机耗电量是最低的，所以又只能表示： 要知道这是2K屏啊！
先跳过乱七八糟的功耗测试环节， 游戏 测试跟温控测试两个环节我觉得还是有点参考价值的。
为什么同样的CPU，同样的 游戏 ，表现差距这么大呢？这是由两个系统的性能调度差异导致的。小米11的三颗A78中核全程鸡血，iQOO 7几乎都是在用小核顶着。毕竟一分性能一分功耗嘛， 小米11也确实有着更强的性能释放和更高的发热。
小米11平均功耗6.13W，一小时原神整机耗电量1334mAh。
iQOO 7平均功耗5.34W，一小时原神整机耗电量1240mAh。
在玩原神的时候， 两款888手机的功耗都在Mate 40 Pro（麒麟9000）跟小米10U（骁龙865）之间 ，这里又有一个疑点了，另外两款手机玩【原神】的帧率情况怎么样呢？小白的视频没有给出测试数据。但起码能看得出来，搭载骁龙888的手机在玩原神的时候，功耗表现是比上一代（865）有进步的，所以 不存在说所谓的功耗翻车。
小米11一小时原神最高温52.6
iQOO 7一小时原神最高温48.7
除了原神之外，小白测评还做了针对【吃鸡】 游戏 的实测。与原神不一样，吃鸡对于设备并没有那么苛刻的性能需求。 一个小时的连续 游戏 下来，两款骁龙888手机基本都稳定在60帧。
小米11平均58.5帧，一小时耗电21%即966mAh
iQOO 7平均57.7帧，一小时耗电30%即1260mAh
在【吃鸡】环节里面，耗电量测试部分就有意思了，唯一搭载了2K屏幕的小米11的耗电量居然是最低的！ ——性能比你们强，屏幕比你们高级，电池比你们大，整机比你们更轻更薄，玩吃鸡还比你们省电，就问你们气不气？
在本环节，iQOO 7还超越了小米11，成为 游戏 温度最高的测试机型。 四款测试机型的温度其实也不算相差太大。结合两个 游戏 测试环节去看，远不至于说“发热翻车“。 搭载骁龙888的机型的发热要比其他手机要来得厉害一些，但也是在合理的范围里面，实在很介意多这么一点发热的话，完全可以扭头去购买其他机型就是了，没必要在离开之前还踩上一脚，唾上一口。
小米11三小时耗电1932mAh，剩58%的电
iQOO 7三小时耗电1800mAh，剩55%的电
在接下来的三小时综合续航测试里面（包含 游戏 +视频+网购等），搭载骁龙888的小米11跟iQOO 7的表现也很正常，并没有传闻中续航尿崩的情况出现。
在额外加上的吃鸡【测到死】环节，小米11也坚持了4.6h（即四小时36分钟）的连续 游戏 时间，超过了iQOO 7（四小时17分钟）在内的其他选手。这也反驳了那些所谓续航翻车的言论。
但让人究极无敌迷惑的时候，小白测评最后还是得出了结论——小米11认定翻车了？？
小米11：发热浪了一点我认了，但屏幕、续航、 游戏 体验、体重都强过对手不少，您管这叫做翻车？？
反正我是真的没看懂了！这是公开自己打自己的脸，质疑自己的实测数据？还是在线人格分裂的戏码？希望有看明白的朋友给我指点迷津——到底是谁在瞎扯？
骁龙888因三星工艺才翻车到底是怎么了，888还能不能买
高通骁龙888不论是发布前的玩家期待，还是发布后各种测试中发现的功耗和发热“翻车“问题都可谓是万众瞩目。有人说这是因为使用了三星5LPE工艺的原因，事实真的是这样吗？三星5LPE工艺又是什么情况呢？让我们从头说起吧：
关于半导体工艺的内容实在是非常深奥，本文只是浅显的谈一些不成熟的认识，如有遗漏和错误也请大家费心指正了。
晶体管工艺物理极限
我们常说的半导体工艺，比如40nm啊，65nm啊这些一般是指晶体管的大小或者晶体管的栅极长度。但是在22nm之后，摩尔定律其实是放缓甚至失效的，厂商对新工艺的命名也更多地是出于商业考虑了，这点上三星台积电都承认过。ARM CTO也在前几年就做过表态，半导体工艺从16nm之后基本上就没什么工艺上提升的空间了。
那后来的10nm，7nm甚至3nm是怎么做到的呢？这里就要谈到FinFET工艺：鳍式场效应晶体管了。
FinFET全称Fin Field-Effect Transistor，中文名称就叫做鳍式场效应晶体管，是由加州大学伯克利分校的胡正明教授教授发明。FinEFT是将传统晶体管结构中控制电流通过的闸门设计成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通和断开。这样可以大幅度的改善电路控制，减少漏电流，缩短晶体管的删长。
英特尔公布的FinEFT的电子显微镜照片
所以现在的5nm，7nm并不能代表晶体管大小和晶体管的栅极长度，主要是厂商用来宣传的数字，用来表明其半导体工艺的代数。勉强可以说是FinFET工艺中Fin（鳍）的宽度，而更准确的反映半导体工艺水平的参数是芯片工艺的平均晶体管密度。
可以看出三星的5LPE工艺晶体管密度只有1.267亿每平方毫米，远低于台积电N5工艺的1.713亿每平方毫米。而Intel的10nm工艺就已经接近台积电N7+的晶体管密度了，Intel未来的7nm工艺更是达到了2.016亿每平方毫米之多，晶体管密度远高于现在的台积电N5和三星5LPE工艺。
所以也有Intel的10nm工艺虽然相当于手机的7nm一说，而 Intel的10nm工艺为什么开发了这么久也是因为按照台积电和三星的标准，Intel等于直接要从14nm跳到7nm，难度也的确很大。
而Intel的7nm工艺，平局晶体管密度比台积电5nm还要高很多，这就是很多玩家其实是很看好和期待Intel的7nm处理器的原因，但话说回来Intel的7nm也不知何时才能实装。。。但前不久英特尔也宣称公司在7nm工艺上获得重大进展，股价也因此应声大涨。
三星是比较喜欢率先使用最新的技术来抢占首发的，在7nm工艺时就率先使用了EUV光刻机，台积电N7和N7P仍使用的是DUV+SAQP光刻的方式，在工艺上此时三星是领先一些，但由于三星使用的是DDB双扩散工艺，相比台积电的SDB但扩散工艺，晶体管密度要低一些，所以使用EUV的三星7LPP，晶体管密度也仍只和台积电N7P相仿。等到台积电使用EUV光刻机的N7+登场后，晶体管密度就被拉开差距了。
回到三星的5LPE，5LPE从架构上来说相比7LPP在门间距和鳍间距等重要参数中都没有什么变化，只是使用新的标准单元库，以及引入6TUHD单元库等方式来提高晶体管的密度。算是复用了7LPP的设计，因此三星的5LPE更像是7LPP的半代升级版。从三星的迭代工艺图表也可以看出5LPE也的确属于7LPP这个大世代的迭代升级。所以从设计工艺还是晶体管密度来看三星5LPE还是处于略好于台积电N7+的程度，也许理解为“7nm++“就可以对三星5nm工艺的表现有说理解了。
所以对于骁龙888，其实如果我们能可以降低预期，看成是7LPP工艺的半代升级产品的话，就很能理解888的表现了。
虽然888的性能提升很大程度上来源于功耗的提高，但三星的5LPE还是比7LPP有升级的，在日常低功耗的使用环境中888还是可以提供优于865的表现的。在需要极限性能的 游戏 和应用中，888虽然功耗高了很多但毕竟性能也确实有明显的提升，如果能将散热控制好，比如使用手机背夹散热器，那么性能也是可以得到完全的发挥的。
并且888芯片集成了X60基带，在日常的整机5G功耗，以及成本等方面也都会更有优势。888的机器才发布就探到了3000多元的价格，也是体现了888的成本优势。
所以消费者也不用纠结还能不能买的问题，首先安卓旗舰除了888也基本是没得选（笑），其次日常使用还是会有比865更好的综合表现的，并且888的成本优势也不可忽略，芯片成本更低就意味着要么可以买到更便宜的旗舰性能的安卓手机，要么可以让旗舰机使用更好的屏幕，更好的散热来改善888机器的使用体验，不论哪种都是对消费者有利的。
台积电的N5工艺确实很好，但一方面产能早已是超负荷运转了，另一方面如果高通也使用台积电N5工艺，那么市场上就基本呈现出台积电一家独大的情况了，这样也并不是什么好事。
所以也不能说是高通被三星坑了，更不能说是小米11等手机被高通坑了，在市场和成本角度来看，这其实就是合理的选择了。
对于三星来讲，半导体工艺的重心都在很快要到来的3nm GAA工艺，台积电方面则要在2nm时进入GAA世代。但抢首发使用新工艺也会有新产品容易出现能耗问题的风险，比如当年苹果6S时的混用台积电和三星工艺的A9处理器在当年就引起了广泛的争议。。。不过不管怎么样，新的技术也是有新的突破，我们就期待好了。
以上就是本篇文章的全部内容了，谢谢大家的耐心阅读额，我们下次再见！
骁龙888翻车之际，联发科天玑1200能否顺势站稳高端市场
2021年1月20日，联发科举办天玑新品线上发布会，正式发布全新一代的旗舰级5G芯片——天玑1200。相比上一代的天玑1000系列来说，全新一代的天玑1200在CPU/GPU性能、5G、AI、拍照、视频、 游戏 等方面都有了大幅的提升，有望帮助联发科进一步站稳高端市场。
首发台积电6nm EUV工艺
众所周知，2019年联发科推出的天玑1000系列是基于台积电7nm工艺制造的，而天玑1200/1100则首发采用了台积电的6nm EUV工艺。
根据台积电的数据，相比7nm工艺来说，其6nm EUV工艺使得晶体管密度提升了18%，这也意味着其性能提升了约18%，或者在保持同样晶体管数量的情况下，核心的面积可以缩小18%，使得功耗和成本可以进一步降低。台积电的数据显示，在相同的性能条件下，6nm EUV工艺在功耗上可以比7nm降低了8%。
当然，6nm EUV工艺相比台积电目前已量产的5nm EUV工艺来说，在性能和功耗表现上虽然略逊一筹，但是差距并不大，而且更具成本优势。据业内消息，天玑下一代旗舰也将采用台积电5nm工艺。
3.0GHz Cortex-A78超大核
为了冲击高端旗舰市场，自上一代的天玑1000系列开始，联发科就开始着力打造全新的旗舰级处理器。为此，联发科大幅的提升了天玑1000系列的CPU和GPU的性能，不仅直接采用了四颗Arm Cortex-A77大核 四颗Cortex-A55的配置，使得天玑1000系列成为了当时全球首款基于Cortex-A77四核的芯片，CPU跑分远超竞品。同时天玑1000还全球首发Arm当时最新的Mali-G77 GPU，集成了9个核心，使得天玑1000系列在GPU性能上也远超竞品。
同样，此次联发科推出的全新的天玑1200/1100在CPU和GPU性能上也有了大幅的提升。
天玑1200在CPU内核架构采用了1 3 4的旗舰级三丛架构设计，包含1个主频高达3.0GHz的Arm Cortex-A78超大核，进一步拔高了单核的性能。
数据显示，相比上一代的Cortex-A77，Cortex-A78的架构性能提升了7%，功耗降低了4%，内核小了5%，四核簇面积的缩小了15%。Cortex-A78的侧重点本身也是注重于性能、功耗和面积的平衡，这有助于提高5G手机的续航。虽然看上去性能提升并不大，但是在先进制程工艺的加持之下就会被进一步放大。
根据联发科公布的数据显示，在3.0GHz超大核的支持下，天玑1200在众多应用的冷启动的速度上相比友商旗舰提升了9% 25%不等。
至于为何不采用Arm目前最强的Cortex-X1内核作为超大核，笔者猜测联发科可能更多考虑的也是5G手机的功耗的问题。比如，近期已上市的基于Arm Cortex-X1超大核的旗舰处理器，就被爆出了功耗“翻车”的问题。
除了3GHz的Cortex-A78超大核之外，天玑1200还拥有三颗主频2.6GHz的Cortex-A78大核心，四颗主频2.0GHz的A55小核心组成。
根据联发科公布的数据显示，天玑1200的CPU综合性能相比前代天玑1000 提升了22%，能效提升了25%。
在GPU的配置上，天玑1200与上一代的天玑1000系列保持一致，仍然是Mali-G77 MC9。虽然配置没变，不过在6nm EUV工艺加持下，频率有所提升。根据官方的数据，天玑1200的GPU性能相比前代提升了13%。
5G网络体验进一步强化
作为目前全球为数不多的5G芯片供应商，联发科在通信技术方面的实力也是非常强的。
2019年底推出的天玑1000在5G性能方面就拿到了多个第一：全球首款支持5G双载波聚合的5G单芯片，还是全球最快的5G单芯片（下行峰值速率可达4.7Gbps，上行峰值速率可达2.5Gbps）、全球首个支持5G 5G双卡双待的5G单芯片、全球首款集成Wi-Fi 6的5G单芯片、拥有全球最省电的5G基带、全球最强的GNSS卫星定位导航系统。
据联发科无线通信事业部副总经理李彦辑介绍，此次发布的天玑1200在5G方面也保持了持续领先性，支持独立（SA）和非独立（NSA）组网模式、全频段（包括全球新的5G频段） 5G双载波聚合（2CC CA）、动态频谱共享（DSS）、MediaTek 5G UltraSave省电技术，以及5G SA/NSA双模组网下的双卡5G待机、双卡VoNR语音服务等。
联发科提供的实测数据显示，下行速度在密集市区与郊区都要比竞品旗舰快两倍以上，在市区下行速度也要比竞品旗舰快25%。
此外，为了打造全景全时的无缝5G连接体验，联发科天玑1200支持5G高铁模式（可使得下行速率稳定在400Mbps以上）、5G电梯模式等应用模式。
通过智能场景感知、信号的快速捕获跟踪、智能搜网和驻网，让终端拥有高效且稳定的5G性能，结合MediaTek 5G UltraSave省电技术，带来更低功耗的5G通信。
根据联发科公布的数据显示，天玑1200的5G基带在SA、NSA模式下的轻载功耗相比友商旗舰要分别低40%和35%，重载功耗要比友商旗舰低46%和43%。
6核APU 3.0加持，强化AI多媒体体验
移动处理器的AI性能是近几年移动处理器厂商都非常关注的一个重点。而联发科很早就开始在这块进行了发力，并取得了不错的成果。
早在2018年联发科就在其Helio P60芯片当中，率先集成了APU（AI处理器：Artificial intelligence Processing Unit）1.0，强化了芯片的AI性能，随后这款芯片迅速在市场上获得了成功。
尝到了甜头之后，联发科继续加码，在2018年底发布的Helio P90上，进一步升级到了APU 2.0。当时，联发科也凭借其APU 2.0成功将Helio P90送上了苏黎世理工学院的AI Benchmark第一名的宝座。
同样，在2019年底，联发科着力打造的全新旗舰级移动芯片天玑1000系列的APU也进一步升级到了APU 3.0版本，首度采用了2个大核 3个小核 1个微小核的多核架构，性能达到之前APU 2.0的2.5倍，同时能效提升了40%。凭借APU 3.0带来的AI性能上的提升，联发科天玑1000也再度登顶AI Benchmark排行榜。
当然，AI的跑分只是AI硬件性能的一个体现，更为关键的是，如何利用AI硬件性能，为用户带来更多在实际体验上的提升。而在这一方面，用户越来越注重的手机的拍照及视频录制等多媒体方面的效果，自然也就成为了AI发力的重点。
此次，联发科发布的天玑1200虽然同样采用的是APU 3.0，但是得益于6nm EUV工艺的加持以及软硬件上的优化，天玑1200的APU3.0相比前代天玑1000系列的AI能效再度提升，进一步释放了AI在多媒体方面的能力。
根据联发科公布的数据显示，天玑1200的APU性能相比友商旗舰在各项测试当中高出了45% 90%不等。
在拍照方面，天玑1200可支持最高2亿像素拍照；而在视频录制方面，天玑1200则可支持AV1视频编码格式，支持领先的芯片级单帧逐行4K HDR视频技术（Staggered HDR)，即在用户录制4K视频时，可对每帧画面进行3次曝光融合处理，让视频画质拥有出色的动态范围，在色彩、对比度、细节等方面有显著提升。
那么天玑1200搭载的APU 3.0能够为拍照和视频录制带来哪些助力呢？
据联发科介绍，APU 3.0可充分发挥混合精度优势，灵活运用整数精度与浮点精度运算，达到更高的AI应用能效。
比如在拍照方面，联发科还携手虹软的AI算法，结合联发科的APU多任务调度机制，通过AI降噪、AI曝光、AI物体追踪等AI技术的高度融合，可为用户带来“急速夜拍”和“超级全景夜拍”等拍照新体验；
实拍效果对比
此外联发科还携手极感 科技 ，通过AI多人实时分割技术，还可实现多人的背景替换、多路人移除等手机视频拍摄特效。
联发科还带来了AI多人虚化、多景深智能对焦、AI流媒体画质增强等AI视频技术，为vlog创作和直播带来了更多创新可能。
此外，结合天玑1200的HDR10 视频编码技术以及AI-SDR技术，可完整输出Staggered HDR视频效果，为用户带来更为惊艳的端到端跨屏HDR体验。
HyperEngine 3.0让 游戏 更畅快
近年来，随着智能手机以及4G移动网络的普及，极大地推动了在线多人互联的手机 游戏 的发展。数据也显示，目前全球有超过22亿的手机 游戏 用户，足见市场潜力之大。特别是随着《王者荣耀》及各种“吃鸡”手游的火爆，用户对于手机的 游戏 性能和体验也越来越重视。不少手机厂商纷纷杀入 游戏 手机市场，比如黑鲨、努比亚红魔、华硕等都推出了专门的 游戏 手机。
在此背景之下，2019年7月底，联发科也推出了旗下首款 游戏 手机芯片——Helio G90T，一同推出的还有芯片级 游戏 优化引擎技术HyperEngine，包括网络优化引擎、智能负载调控引擎、操控优化引擎和画质优化引擎，全方位提升 游戏 体验。
随后，联发科将HyperEngine引入到了天玑1000系列，并且进一步升级到了最新的HyperEngine 2.0版本。此次推出的天玑1200的 游戏 优化引擎再度升级到了最新的HyperEngine 3.0，在网络优化引擎、操控优化引擎、智能负载调控引擎、画质优化引擎四大核心特性上，带来了行业领先的创新技术。
比如，在网络优化方面，搭载天玑1200的手机在5G网络连接下可实现 游戏 通话双卡并行，用户可以在主卡玩手游的同时接听副卡来电， 游戏 持续不断线。
新推出的超级热点和高铁 游戏 模式则可针对不同的 游戏 环境进行网络优化，有效降低 游戏 网络延迟和卡顿。
同时，天玑1200还获得了德国莱茵TUV高性能 游戏 网络连接的认证，通过了6 大维度、72 场景的测试项，完整覆盖全场景连网 游戏 体验。天玑1200也是全球首个通过了德国莱茵TUV高性能 游戏 网络连接认证的手机芯片。
在操控优化方面，针对目前手游用户偏好的高帧率屏，HyperEngine 3.0的操控引擎能让多指触控时报点率保持稳定的高帧运行。
此外，天玑1200还率先支持蓝牙LE Audio（Bluetooth Low Energy Audio，蓝牙低功耗音频）标准，相较传统TWS真无线蓝牙耳机，可扩充至双通道串流音频，结合联发科的优化可让终端和TWS耳机获得更低延迟，延长耳机的续航。
在画质优化方面，HyperEngine 3.0的画质优化引擎可以在零功耗负担的情况下实现HDR+级别的画质优化，同时联发科还布局图形关键技术——光线追踪（Ray Tracing），将端游级 游戏 渲染技术带入移动终端，可为 游戏 厂商、开发者、终端提供强大的图形处理能力，为手游玩家带来媲美真实的 游戏 画面，引领移动端图形技术趋势。
在负载调控方面，HyperEngine 3.0的智能负载调控引擎新增 游戏 高刷省电（可省电12%）、智能 健康 充电（可有效控温降低温度3 ）、Wi-Fi 6省电模式（省电可达28mA），旨在平衡性能与功耗、延长续航和电池寿命。
还有低配版的天玑1100
值得一提的是，除了天玑1200之外，联发科还推出了低配版的天玑1100，主要的区别在于取消了3.0GHz的超大核，改为了2.6GHz四核A78 2.0GHz四核A55，另外GPU主频也要略低，拍照方面最高支持1.08亿像素拍照，APU 3.0的性能也要略低12.5%。此外，天玑1100最高只支持FHD 144Hz的屏幕刷新率，而天玑1200则可支持FHD 168Hz。
虽然联发科天玑1000在发布之时，直接对标的是高通的旗舰平台骁龙855系列，并且在各项指标上都优于当时的竞争对手，但是由于联发科过往4G芯片大多被用于中低端机型，在高端旗舰手机市场缺乏品牌支撑力，加上采用天玑1000的手机并没有及时跟着发布，让人一度有些怀疑其5G市场能力。而联发科很快也调整了策略，在2020年5月推出了全新的天玑1000 ，虽然硬件参数未变，但是软件进行了全面升级，进一步提升了其作为5G旗舰平台的竞争力。
随后，天玑1000 很快也得到了iQOO Z1、realme X7 Pro、Redmi K30至尊纪念版、OPPO Reno5 Pro等多款产品的采用，而近期将发布的荣耀V40也采用天玑1000 。
特别值得一提的是，在此前的OPPO Reno3系列当中，Reno3搭载的是天玑1000L，定价3399元起；Reno 3 Pro搭载的是高通骁龙765G的，定价3999元起。而不久前发布的OPPO Reno5则搭载的是骁龙765G，定价2699元起；Reno5 Pro则搭载的天玑1000 ，定价3399元起。
可以看到，OPPO对于天玑1000系列和骁龙765的产品定位差异，在Reno5系列上出现了变化。而这似乎也反应了OPPO对于天玑1000系列旗舰级定位的认可。
得益于天玑系列的成功，根据联发科副总裁暨无线事业部总经理徐敬全博士公布的数据显示，2020年三季度手机芯片出货已成为全球第一。而截至去年年底，天玑5G移动平台出货量已经突破4500万套，助力联发科成为了全球第一大5G智能手机芯片厂商。
在去年天玑1000 成功进入高端市场之后，此次联发科推出的更为强大的天玑1200有望进一步站稳高端市场。
自去年以来，受美国对华为持续打压的影响，小米、OPPO、vivo等国产手机厂商也不得不更加注重供应链安全，开始转变以往在中高端产品线上对于高通芯片过度依赖的局面，联发科的天玑系列自然也就成为一个不错的选择。
特别是在近日，美国还将小米公司列入了中国军方拥有或控制的企业名单（MEU清单），虽然从目前来看，小米继续采购高通的手机芯片可能不会受到影响，但是此举将会迫使小米不得不想办法降低对于美系元器件的依赖，以应对未来可能将面临的来自美国的更为严重的制裁。同时，美国将小米列入EMU清单也必然会加重OPPO、vivo等其他中国手机厂商对于此类风险的担忧，迫使他们提早做出相应的对策，以应对可能存在的风险。
所以，在此背景之下，从强化供应链安全的角度来看，接下来小米、OPPO、vivo等国产手机厂商必然会进一步减少对于美系元器件的依赖。这也意味着中高端手机芯片市场的霸主——美国高通公司将会受到直接影响，而另一家手机芯片大厂——联发科将会从中获益。
另外，从市场竞争端来看，在华为手机因麒麟芯片制造受限及第三方5G芯片采购受限，导致市场份额大幅下滑的背景之下，小米、OPPO、vivo等国产厂商要想拿到更多的华为空出的市场份额，就必须提供更多的具有差异化及市场竞争力的产品组合。特别是在高端旗舰手机市场，目前能够选择的旗舰级5G芯片也就只有高通骁龙888和天玑1200。如果，国产手机厂商想要降低对于高通的依赖，那么天玑1200自然将会成为一个优选方案。
虽然在芯片的规格参数上，基于三星5nm工艺制程、Cortex-X1超大核的骁龙888确实要比天玑1200略高一筹，但是从目前的市场反馈来看，高通骁龙888在功耗上出现了“翻车”，在运行大型 游戏 是会出现降频问题，性能会降至与上一代的骁龙865相当的水平。外界质疑三星的5nm工艺甚至可能不如台积电的7nm。
因此，在骁龙888被爆出功耗“翻车”问题的当口，对于基于台积电6nm工艺的联发科天玑1200来说，无疑是一个乘势上位抢夺高端市场的机会。
值得注意的是，目前晶圆代工产能持续紧缺，很多的芯片供货都出现了问题。对于手机品牌厂商来说，手机芯片能够保持充足稳定的供应也是争夺市场份额的关键。
据芯智讯了解，此前高通骁龙系列芯片出货所需的配套的电源管理IC有很大一部分是交由中芯国际8吋厂线代工的。根据业内分析显示，高通每年在中芯国际至少下单60万片的电源管理IC晶圆，几乎占了高通自己供给量的四成。但是，在去年12月，美国将中芯国际列入了实体清单，虽然中芯国际表示短期内对成熟制程、公司运营及财务状况无重大不利影响，但是如果长时间拿不到成熟制程所需设备和零部件的许可，成熟制程可能也将会受到影响，这也将影响高通电源管理IC的供应。
而在数月之前，高通就已积极地开始向外转单，但是由于其他晶圆代工厂产能也是爆满，直到去年12月才传出，联电接下了高通的电源管理IC的订单，不过联电的8吋产能本身就是一直满产状态，所以高通可能也难以拿到足够的产能。而且由于5G手机所需的配套的电源管理IC比4G手机是大幅增加的，因此高通所需的电源管理IC产能相比以往也是大幅增加的。
所以，从供货方面来看，未来高通可能会存在电源管理IC供应不足而导致骁龙处理器出货受限的问题。相比之下，联发科5G电源管理芯片主要是在联电代工，而为了应对电源管理IC可能出现的产能不足的问题，联发科很早也开始寻找其他供应商，去年年底，业内有消息称，联发科已取得大量力积电的12吋电源管理IC晶圆产能。
对于今年的5G市场，联发科副总裁暨无线事业部总经理徐敬全博士表示，今年全球将有超过200家运营商提供5G服务，预计5G手机出货将达5亿台。因此，联发科也非常看好今年天玑系列5G芯片的市场表现。
根据台湾媒体此前的报道称，受益于OPPO、vivo、小米等大陆手机厂商大举追加订单，联发科的5G手机芯片订单大幅增长。而为了保障供应，消息称联发科今年一季度扩大对了台积电7nm、6nm的投片，预计第一季度在台积电7nm、6nm投片量将达11万片。据此估算，预期2021年上半年，联发科天玑系列5G芯片出货量将达8000 9000万套规模，或将达到2020年全年出货量的1.6 1.8倍。
综合来看，此番联发科推出的天玑1200与高通骁龙888/865在高端智能手机市场的竞争当中，已经占据了天时地利（高通骁龙888功耗翻车、美国持续限制美企产品及技术对部分中企的供应、联发科的供应保障已做好）的优势。接下来，就要看发布会上依次为联发科站台的小米、vivo、OPPO、Realme等手机厂商们的终端表现了。
值得注意的是，在发布会上，小米集团总裁、中国区总裁、Redmi品牌总经理卢伟冰表示，Redmi将首发天玑旗舰芯新平台。此外，Realme高管也表示，Realme将成为第一批推出基于天玑新旗舰的手机品牌。