本文目录
- 三星的猎户座cpu怎么样好不好性能怎样
- 搭载猎户座2100的手机怎么买
- 5nm芯片集体翻车，出现了哪些问题
- 三星s21ultra韩版有高通的处理器吗
- 三星Exynos2100跑分高有什么用
三星的猎户座cpu怎么样好不好性能怎样
不好，不然9100后续产品也不会用德州的u代替，性能上其实对于用户看不出什么区别，都说高通异步双核差，具体差在哪谁知道，除了一些数据控在比较架构、比较同步异步，比较跑分，有什么用。对于手机用户无非是运行软件、游戏等等快速、流畅、稳定，高通已经做到了，在比较又有什么用。不过三星U兼容性不好这可是致命的，CPU性能再高，不兼容有个屁用，而且你可以看看三星只在本国销售的手机型号，用高通CPU的居多，好不好用户最清楚，市场占有率说明一切，一个不好的产品用了第一次你不会用第二次，CPU我更相信美国造。
搭载猎户座2100的手机怎么买
在官网，等购物平台，线下实体店都可以购买，三星猎户座 Exynos 2100 5G
5nm芯片集体翻车，出现了哪些问题
5nm是EUV（极紫外线）光刻机能实现的目前最先进芯片制程工艺，也是智能手机厂商争抢的宣传卖点，进入2020年下半年后，苹果A14、麒麟9000、骁龙888等5nm工艺芯片相继粉墨登场。
然而，公开的信息显示，无论A14、麒麟9000，还是骁龙888，均被曝出芯片的实际功耗发热与厂商宣传的美好相差甚远，一时间，“5nm芯片集体翻车”的话题成为网络热点。
一、骁龙888功耗等于低压酷睿？
根据AI财经社的报道，5nm芯片最让人诟病的，是性能虽然有所提升，但功耗却比7nm的明显增加，这其中表现最差的就是骁龙888，被调侃为“火龙888”。
数码评测媒体极客湾对骁龙888、骁龙865、骁龙855测试的功耗数据表明，单核功耗上，骁龙865最低，为2.3瓦，其次是骁龙855的2.4瓦，骁龙888最高，达3.3瓦，相比骁龙865高了1瓦，高出幅度达43.5%。多核功耗方面，最低的依然是骁龙865，为5.9瓦，其次是骁龙855的6.1瓦，骁龙888依然落在最后，功耗高达7.8瓦，是骁龙865的1.32倍。具体见下图。
骁龙888多核功耗高达7.8瓦是个什么概念？英特尔第11代低压酷睿i7处理器的功耗在7——15瓦，可用于超轻轻薄笔记本电脑（在无风扇散热时，功耗锁定为7瓦）。也就是说，骁龙888的多核功耗已经相当于一颗第11代低压酷睿i7处理器，但需要明确的是，低压酷睿i7处理器采用的是10nm工艺制程，落后台积电、三星的5nm不少。
英特尔处理器采用复杂指令集，理论上相比采用精简指令集的骁龙888更为耗电，但骁龙888在占据工艺先进至少一代的优势下，功耗竟然相当于英特尔低压酷睿。不知道英特尔看到这里会是什么心情。
骁龙888功耗猛增，最直观的体验就是，手机如果运行较大型的游戏，发热就比较明显。极客湾的数据表明，在某款游戏的测试中，玩了20分钟后，小米11背面温度达到了48℃，而搭载骁龙865的小米10在相同的测试环境下，温控表现更好只有41℃。
爱范儿对搭载A14芯片的iPhone12运行《原神》游戏测试表明，20分钟后，手机背面最高温度达到47℃，接近小米11。
5nm的芯片在制程工艺上更先进，为何功耗表现却落后于7nm的芯片？答案是和芯片内部的晶体管漏电有直接关系。
二、为何晶体管漏电是元凶？
A14、骁龙和麒麟等手机SoC芯片属于数字集成电路，而随着制造工艺的不断进步，集成电路的功耗越来越复杂，但总体可分为电路逻辑状态转换产生的动态功耗，以及CMOS晶体管各种泄露电流产生的静态功耗（又称漏电流功耗）。
在芯片进入深亚微米工艺时代之前，动态功耗一直是芯片设计关注的焦点，但在进入深亚微米工艺时代之后，动态功耗在总功耗中的比例越来越小，静态功耗的比例则越来越大。
当芯片制造工艺进入纳米时代后，漏电流功耗对整个功耗的影响已经变得非常显著。有研究表明，在90nm工艺的电路中，静态功耗可以占到总功耗的40%以上。
究其原因，是因为集成电路每一代制造工艺的进步，都是以缩短CMOS晶体管的沟道长度为目标，7nm工艺指的就是指沟道长度。沟道长度不断缩短，使得电源电压、阈值电压、栅极氧化层厚度等工艺参数也在不断地按比例缩小，直接导致短沟道效应（SCE）、栅极隧穿电流、结反偏隧穿电流等漏电流机制越来越显著，表现为芯片漏电流功耗不断上升。
有研究表明，当晶体管的沟道长度从130nm缩短到90nm时，即缩小30.77%，漏电流功耗上升大约39.25%，但缩短到45nm，即缩小65.4%时，漏电流功耗上升大约273.28%（具体见下图）。
也就是说，漏电流功耗和缩小的沟道长度之间不是简单的比例关系，即使沟道长度缩短一点，漏电流功耗也会有一个数量级的增长，而且随着沟道长度越来越短，漏电流功耗增长越来越快。
如果复盘芯片制造历史，会发现漏电流功耗曾长期困扰英特尔、三星和台积电等制造大厂。
三、台积电为何被称台漏电？
长期以来，芯片制造大厂一直在和漏电流功耗作斗争，每有进展，都是值得大书特书的新闻，比如英特尔。
相反，台积电2010年刚推出28nm工艺制程时，由于技术不成熟，漏电流功耗高，导致芯片的功耗大到难以接受，被市场调侃为“台漏电。”有长达6年时间，都摘不掉这顶帽子。
在当时，如何压制漏电流功耗几乎可以决定芯片工艺制程赛道上选手的身位。彼时，英特尔还是制造技术大拿，率先通过Gate-last技术压制了漏电流功耗，台积电则走了一些弯路，沿用IBM的Gate-first 技术，但效果不佳，在28nm上栽了跟斗，后在蒋尚义的主导下，改走英特尔Gate-last技术路线，才算解决漏电流功耗过高难题。
2011年第4季度，历经波折后，台积电终于量产成熟可靠的28nm制程。三星本来在32纳米制程也采用Gate-first 技术，但后来在28 纳米制程时，快速切换到Gate-Last 路线，之后的14纳米也基于Gate-Last。
梁孟松
据说，三星是通过台积电“叛将”梁孟松解决漏电流功耗问题，成功缩短与台积电的工艺差距。结果引发台积电起诉梁孟松，迫使后者离开三星半导体，辗转到中芯国际。
由此可见，压制晶体管漏电流功耗有多重要。
四、为何老迈的技术不退休？
台积电、三星和英特尔之所以能压制漏电流功耗问题，主要原因是采用了创新的鳍式场效应晶体管（简称FinFET，见附图），以替代传统的平面式晶体管。但由加州大学伯克利分校胡正明教授发明的鳍式场效应晶体管（FinFET），通过局部技术改良，从28nm工艺制程一直沿用至今，可谓发挥到了极限。随着制程工艺进入EUV时代，漏电流功耗重新成为挑战。
在7nm时，老迈的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术就应该谢幕了，由环绕栅极晶体管（GAAFET）接替。但由于技术风险和成本压力，大厂们在5nm时代仍不得不使用老迈的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术，结果就是如前文所述，5nm的芯片漏电流功耗飙涨，在功耗上集体翻车，几乎消耗掉制程工艺进步的红利。也可以看出，芯片制造技术每往前跨一步，其实都极为不易。
三星s21ultra韩版有高通的处理器吗
摘要三星s21ultra搭载的处理器为高通骁龙888，采用5nm制成工艺，采用1个 2.84GHz的ARM 最新 Cortex-X1 内核和3个 2.4GHz 的Cortex A78和4个 1.8GHz 的Cortex A55，GPU 为 Adreno 660，采用 X60 5G modem 基带，支持 WIFI 6，ryo 680 CPU 承诺比骁龙 865 芯片组的处理器性能提升 25% 。功效也提升了 25%，Adreno 660 目标是将渲染性能提高 35%，同时将能效提高 20%。
咨询记录 · 回答于2021-11-16三星s21ultra韩版有高通的处理器吗
三星s21ultra搭载的处理器为高通骁龙888，采用5nm制成工艺，采用1个 2.84GHz的ARM 最新 Cortex-X1 内核和3个 2.4GHz 的Cortex A78和4个 1.8GHz 的Cortex A55，GPU 为 Adreno 660，采用 X60 5G modem 基带，支持 WIFI 6，ryo 680 CPU 承诺比骁龙 865 芯片组的处理器性能提升 25% 。功效也提升了 25%，Adreno 660 目标是将渲染性能提高 35%，同时将能效提高 20%。
韩版的有没有高通的处理器 还是都是猎户座的
稍等查一下
韩版和国行版是不同。三星s21ultra国行版：搭载骁龙888处理器，是一款5nm制作工艺的5G手机芯片，为用户带来全新的5G性能体验三星s21ultra韩版：搭载三星猎户座2100处理器，同样采用5nm制作工艺，带来全新的制作工艺，同时也是首款集成5G处理器
三星Exynos2100跑分高有什么用
三星Exynos 2100这颗处理器是非常有意思的，它的规格是非常高的，为2.91GHz的X1超大核+3*2.81GHz的A78大核+4*2.21GHz的A55的小核。三个丛集比起高通骁龙888都要高一些。不过上市初期的表现是比较差的，无论是单核心、还是多核心的性能都是不如高通骁龙888的。但是近日它的多核跑分突破了4000，接近苹果A14仿生的4350。
但是看到这网友并没有表示到兴奋，反而吐槽跑分高究竟有何用。近几年实际上各大处理器厂商都是不太老实的，最开始是三星通过GeekBench 4的内存子项目来刷分，让其单核跑分接近苹果的A系列处理器。高通在近几年也通过拉高大核心峰值主频，或者是GPU超频等技术来提高跑分的数据。
而这些跑分的提升，对于手机来说也仅仅是体现在跑分上的。毕竟手机大部分是被动散热的，如果超频的话，会造成热量的快速累积，最终会造成快速的降频发热。在严重发热的同时，这些热量是遵循能量守恒定律的，它们严重发热必然会产生严重的耗电问题，让手机的续航变得很差。
三星Exynos 2100也是这样，最近几年为了跑分好看，将规格拉的非常高，最近几年每一代都被号称“安卓之胱”，实际表现和跑分数据相差甚远。今年的高通骁龙888也是一样，跑分和实际使用体验不太相符，这也是因为高通为了纸面性能的提升，将GPU的主频拉的很高，实际使用功耗达到了7.67W，比苹果A14仿生的5.6W高很多。
最后简单的总结一下，三星Exynos 2100的多核跑分超过了4000分，接近苹果A14仿生。但是在这种情况下，其功耗是非常高的，毕竟更低规格的Exynos 1080已经翻车了，对于日常使用来说是没有什么帮助的，更多的只是因为跑分更好看一些而已。这种做法消费者也是不太喜欢的，跑分只是一项参考罢了，单纯为了提高跑分是没有意义的。